Китай 70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc.

70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, синхронный
Китай IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
Китай S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp.

S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - NAND
Китай MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256 Мбит PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256 Мбит PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR2
Китай W631GG8KB-11 IC DRAM 1 ГБИТ PAR 78WBGA Winbond Electronics

W631GG8KB-11 IC DRAM 1 ГБИТ PAR 78WBGA Winbond Electronics

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3
Китай W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Уинбонд Электроника

W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Уинбонд Электроника

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Технологии Infineon

CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Технологии Infineon

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC на полу

CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC на полу

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай 7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Компания Renesas Electronics America Inc.

7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Компания Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Технология микрочипов

AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EPROM
Технологии: EPROM - OTP
26 27 28 29 30 31 32 33