Китай 70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc.

70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай FM25L16B-GTR IC FRAM 16 КБИТ SPI 20 МГц 8SOIC Infineon Technologies

FM25L16B-GTR IC FRAM 16 КБИТ SPI 20 МГц 8SOIC Infineon Technologies

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: FRAM
Технологии: FRAM (Ferroelectric RAM)
Китай CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp.

CY7C1414BV18-200BZC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - синхронный, QDR II
Китай MT25QL128ABA8E12-0SIT ФЛЕШ-ИС ИС 128 МБИТ SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

MT25QL128ABA8E12-0SIT ФЛЕШ-ИС ИС 128 МБИТ SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Технология микрочипов

AT27C020-55PU IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32DIP Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EPROM
Технологии: EPROM - OTP
Китай 24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Технология микрочипов

24LC64T-E/MNY IC EEPROM 64KBIT I2C 8TDFN Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Технологии Infineon

S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай RC28F320C3TA110 ФЛЕШ-ИС, 32 МБИТ, ПАР. 64EASYBGA, Intel

RC28F320C3TA110 ФЛЕШ-ИС, 32 МБИТ, ПАР. 64EASYBGA, Intel

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: FLASH — загрузочный блок
Китай S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Технологии Infineon

S26KL128SDABHI020 IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
27 28 29 30 31 32 33 34