Китай BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ полупроводники Рома

BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ полупроводники Рома

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай 71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай MT41K512M16HA-125:А IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.

MT41K512M16HA-125:А IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3L
Китай S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Технологии Infineon

S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP полупроводники Рома

BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP полупроводники Рома

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай 71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp.

CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай 71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.

71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR2
Китай W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1 Гбит SPI 104 МГц 8WSON Winbond Electronics

W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1 Гбит SPI 104 МГц 8WSON Winbond Electronics

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - NAND
24 25 26 27 28 29 30 31