Китай W949D6DBHX5I IC DRAM 512 МБИТ PAR 60VFBGA Winbond Electronics

W949D6DBHX5I IC DRAM 512 МБИТ PAR 60VFBGA Winbond Electronics

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - Мобильное LPDDR
Китай MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16 ГБИТ MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16 ГБИТ MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - NAND
Китай BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Полупроводник Rohm

BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Полупроводник Rohm

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd.

FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай FM24CL16B-GTR IC FRAM 16 КБИТ I2C 1 МГц 8SOIC Infineon Technologies

FM24CL16B-GTR IC FRAM 16 КБИТ I2C 1 МГц 8SOIC Infineon Technologies

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: FRAM
Технологии: FRAM (Ferroelectric RAM)
Китай AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Технология микрочипов

AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EPROM
Технологии: EPROM - OTP
Китай SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Технология микрочипов

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА
Китай DS2431P+T&R IC EEPROM 1 КБИТ 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS2431P+T&R IC EEPROM 1 КБИТ 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
20 21 22 23 24 25 26 27