Все продукты
CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC на полу
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Винбондская электроника
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (SLC) |
CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Альянс памяти, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM-DDR |
MT29F64G08AECABH1-10ITZ: IC FLASH, 64 ГБИТ, ПАРАЛЛЕЛЬНО, 100VBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4 МБИТ SPI 104 МГц 8UDFN Renesas Design Germany GmbH
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Одновременный, SDR |
SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Технологии: | NVSRAM (слаболетучее SRAM) |