Китай GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 165FPBGA GSI Technology Inc.

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 165FPBGA GSI Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Квадратный порт, синхронный
Китай BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB полупроводники Рома

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB полупроводники Рома

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Альянс памяти, Inc.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Альянс памяти, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай W979H2KBVX2I IC DRAM 512 Мбит PAR 134VFBGA Winbond Electronics

W979H2KBVX2I IC DRAM 512 Мбит PAR 134VFBGA Winbond Electronics

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - мобильная LPDDR2
Китай MX25V1635FZNI IC FLASH 16 Мбит SPI/QUAD 8WSON Macronix

MX25V1635FZNI IC FLASH 16 Мбит SPI/QUAD 8WSON Macronix

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32 МБИТ SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32 МБИТ SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, синхронный
15 16 17 18 19 20 21 22