Все продукты
MT29F128G08CBCABH6-6: A TR IC FLASH 128 ГБИТ PAR 152VBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
W631GG6KB-12 IC DRAM 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96WBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3 |
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 78FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3L |
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 144FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | ДРАХМА |
71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16 ГБИТ MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM |
CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Альянс памяти, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM-DDR |
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64 МБИТ PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM |