Китай M68AW031AM70N6T IC SRAM 256 КБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 28TSOP STMicroelectronics

M68AW031AM70N6T IC SRAM 256 КБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 28TSOP STMicroelectronics

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Технологии Infineon

CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Технологии Infineon

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP Cypress Semiconductor Corp.

CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Технологии Infineon

S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай MR2A16AVMA35 IC RAM 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 48FBGA Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35 IC RAM 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 48FBGA Everspin Technologies Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ОЗУ
Технологии: MRAM (магнеторезистивная оперативная память)
Китай AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Альянс памяти, Inc.

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Альянс памяти, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32 ГБИТ, 1,866 ГГц, 432VFBGA Micron Technology Inc.

MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32 ГБИТ, 1,866 ГГц, 432VFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - Мобильное LPDDR4
Китай S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Технологии Infineon

S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 36SOJ Infineon Technologies

CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 36SOJ Infineon Technologies

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512 Мбит SPI/QU 24CSPBGA Macronix

MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512 Мбит SPI/QU 24CSPBGA Macronix

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
10 11 12 13 14 15 16 17