Китай IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.

IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3
Китай AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Технология микрочипов

AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА
Китай MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP Кага FEI America, Inc.

MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP Кага FEI America, Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: FRAM
Технологии: FRAM (Ferroelectric RAM)
Китай IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Технология микрочипов

AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай 71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc.

71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44SO Micron Technology Inc.

MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44SO Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512 ГБИТ MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512 ГБИТ MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - NAND
Китай MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8 Гбит, номинал 1,2 ГГц, 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8 Гбит, номинал 1,2 ГГц, 78FBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR4
Китай IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: ДРАХМА
6 7 8 9 10 11 12 13