Китай MX25L6406EZNI-12G IC FLASH 64 Мбит SPI 86 МГц 8WSON Macronix

MX25L6406EZNI-12G IC FLASH 64 Мбит SPI 86 МГц 8WSON Macronix

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK) Limited (включается в перечень)

GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK) Limited (включается в перечень)

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 48VFBGA Micron Technology Inc.

MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 48VFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: PSRAM
Технологии: PSRAM (псевдо SRAM)
Китай MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256 Мбит, 266 МГц, 84FBGA Micron Technology Inc.

MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256 Мбит, 266 МГц, 84FBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR2
Китай MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64 Гбит 2,133 ГГц 376WFBGA Micron Technology Inc.

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64 Гбит 2,133 ГГц 376WFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - Мобильное LPDDR4
Китай MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24 ГБИТ, 1,866 ГГц, 200VFBGA Micron Technology Inc.

MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24 ГБИТ, 1,866 ГГц, 200VFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - Мобильное LPDDR4
Китай 5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.

5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Альянс памяти, Inc.

AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Альянс памяти, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
Китай MT29F128G08AKAAAC5: A IC FLASH 128 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 52VLGA Micron Technology Inc.

MT29F128G08AKAAAC5: A IC FLASH 128 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 52VLGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - NAND
Китай MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 54VFBGA Micron Technology Inc.

MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 54VFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: PSRAM
Технологии: PSRAM (псевдо SRAM)
5 6 7 8 9 10 11 12