Все продукты
CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| технологии: | SRAM - двойной порт, синхронный |
R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 90FBGA Alliance Memory, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - Мобильное LPDDR |
IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | PSRAM |
| Технологии: | PSRAM (псевдо SRAM) |
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Технологии Infineon
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| технологии: | SRAM - синхронный, QDR IV |
7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, асинхронный |
AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32LCC Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA Альянс памяти, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3 |
THGBMHG6C1LBAU6 IC FLASH 8 Гбит EMMC 153WFBGA Kioxia America, Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (MLC) |
IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - синхронный, DDR II |