Все продукты
IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| технологии: | SRAM - Асинхронный |
MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128 ГБИТ MMC 169TFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256 ГБИТ MMC 100 ТБГА Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| технологии: | SRAM |
M29F800FB5AN6E2 IC FLASH, 8 МБИТ, ПАРАЛЛЕЛЬНО, 48TSOP I Alliance Memory, Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MR4A16BYS35 IC RAM 16 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ОЗУ |
| Технологии: | MRAM (магнеторезистивная оперативная память) |
FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| технологии: | SRAM - Одновременный, SDR |
MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44SOP Macronix
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60WBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| технологии: | SDRAM - DDR2 |