Китай R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.

R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Альянс памяти, Inc.

AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Альянс памяти, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
Китай BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Техасские инструменты

BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Техасские инструменты

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: NVSRAM
Технологии: NVSRAM (слаболетучее SRAM)
Китай AT26DF161A-MU IC FLASH 16 Мбит SPI 70 МГц 8VDFN Renesas Design Germany GmbH

AT26DF161A-MU IC FLASH 16 Мбит SPI 70 МГц 8VDFN Renesas Design Germany GmbH

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА
Китай IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, синхронный
Китай AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Технология микрочипов

AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM-DDR
Китай IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
1 2 3 4 5 6 7 8