Китай STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp.

STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: NVSRAM
технологии: NVSRAM (слаболетучее SRAM)
Китай W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Винбондская электроника

W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Винбондская электроника

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM-DDR
Китай S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96FBGA Micron Technology Inc.

MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 96FBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR4
Китай S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Технологии Infineon

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Технология микрочипов

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай M27C2001-15F1 IC EPROM 2 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 32CDIP STMicroelectronics

M27C2001-15F1 IC EPROM 2 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 32CDIP STMicroelectronics

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EPROM
Технологии: EPROM - УФ
Китай 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: DRAM - EDO
Китай IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3L
2 3 4 5 6 7 8 9