Все продукты
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 134FBGA Alliance Memory, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - мобильная LPDDR2 |
AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 84FBGA Alliance Memory, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR2 |
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Винбондская электроника
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM |
11AA010T-I/TT IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16 КБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Технологии: | NVSRAM (слаболетучее SRAM) |
W25Q16DWUUIG IC FLASH 16 МБИТ SPI/QUAD 8USON Winbond Electronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D ФЛЕШ-ИС ИС, 256 Гбит, номинал 132 ТБГА, Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (MLC) |
MTFC4GLGDM-AIT Z IC FLASH 32 ГБИТ MMC 153TFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |
MT28F128J3FS-12 ET TR IC FLASH 128 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 64FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА |
MX30LF1G18AC-XKI IC FLASH 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63VFBGA Macronix
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND |