Все продукты
AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Технология микрочипов
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63TFBGA Kioxia America, Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (SLC) |
R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM |
IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Интегрированное Силиконовое Решение Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND (MLC) |
CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP на полу
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |
NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP на полу
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EPROM |
| Технологии: | EPROM - OTP |
CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - двойной порт, синхронный |
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2 ГБИТ PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR3 |
71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - синхронная, SDR (ZBT) |
M95160-RMB6TG IC EEPROM 16 КБИТ SPI 8UFDFPN STMicroelectronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |