Все продукты
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR2 |
W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128 Мбит SPI 24TFBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MR2A16ACYS35 IC RAM 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 44TSOP2 Everspin Technologies Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ОЗУ |
| Технологии: | MRAM (магнеторезистивная оперативная память) |
M29W320EB70ZE6E IC FLASH, 32 МБИТ, ПАРАЛЛЕЛЬНО, 48TFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
MT29C1G12MAACAEMD-6 IT IC ФЛЕШ-ОЗУ 1 ГБИТ PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.
| Тип памяти: | Нелетающий, летучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА, RAM |
| Технологии: | Flash - NAND, мобильная LPDRAM |
AS7C256B-15PIN IC SRAM 256 КБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 28DIP Alliance Memory, Inc.
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | SRAM |
| Технологии: | SRAM - Асинхронный |
W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 84WBGA Winbond Electronics
| Тип памяти: | Испаряющий |
|---|---|
| Формат памяти: | ДРАХМА |
| Технологии: | SDRAM - DDR2 |
S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Технологии Infineon
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | ВСПЫШКА |
| Технологии: | ВСПЫШКА - НИ |
BR24G16FVJ-3AGTE2 IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP Полупроводники Rohm
| Тип памяти: | Слаболетучий |
|---|---|
| Формат памяти: | EEPROM |
| Технологии: | EEPROM |