Китай CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Технологии Infineon

CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Технологии Infineon

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2 Мбит SPI 104 МГц 8TSSOP Renesas Design Germany GmbH

AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2 Мбит SPI 104 МГц 8TSSOP Renesas Design Germany GmbH

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА
Китай 93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Технология микрочипов

93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3
Китай MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256 Мбит PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256 Мбит PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
Китай 7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc.

7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Альянс памяти, Inc.

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Альянс памяти, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM
Китай 71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай 24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Технология микрочипов

24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
Китай BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Полупроводники Рома

BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Полупроводники Рома

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
22 23 24 25 26 27 28 29