Китай CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALLEL 80TQFP Cypress Semiconductor Corp.

CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALLEL 80TQFP Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - двойной порт, асинхронный
Китай CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Технологии Infineon

CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Технологии Infineon

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Одновременный, SDR
Китай IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp.

CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Semiconductor Corp.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Одновременный, SDR
Китай MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512 Мбит PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512 Мбит PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - Мобильное LPDDR
Китай AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Альянс памяти, Inc.

AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Альянс памяти, Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Технологии Infineon

S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256 Мбит SPI 133 МГц 16SO Micron Technology Inc.

MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256 Мбит SPI 133 МГц 16SO Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Технология микрочипов

SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА
Китай AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ Технология микрочипов

AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EEPROM
Технологии: EEPROM
25 26 27 28 29 30 31 32