Китай CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Технологии Infineon

CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Технологии Infineon

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - Асинхронный
Китай IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: RLDRAM 2
Китай S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Технологии Infineon

S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM-DDR
Китай AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4 Мбит SPI 85 МГц 8UDFN Renesas Design Germany GmbH

AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4 Мбит SPI 85 МГц 8UDFN Renesas Design Germany GmbH

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА
Китай PC28F640P30B85A ФЛЕШ-ИС, 64 МБИТ, PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

PC28F640P30B85A ФЛЕШ-ИС, 64 МБИТ, PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Тип памяти: Испаряющий
Формат памяти: SRAM
Технологии: SRAM - синхронный, DDR II
Китай S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Технологии Infineon

S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: ВСПЫШКА
Технологии: ВСПЫШКА - НИ
Китай CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Технологии Infineon

CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Технологии Infineon

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: NVSRAM
Технологии: NVSRAM (слаболетучее SRAM)
Китай AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Технология микрочипов

AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Технология микрочипов

Тип памяти: Слаболетучий
Формат памяти: EPROM
Технологии: EPROM - OTP
23 24 25 26 27 28 29 30